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NE85619-T1

NE85619-T1

참조 용

부품 번호 NE85619-T1
PNEDA 부품 번호 NE85619-T1
설명 RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 3,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE85619-T1 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE85619-T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
NE85619-T1, NE85619-T1 데이터 시트 (총 페이지: 26, 크기: 827.19 KB)
PDFNE85633L-A 데이터 시트 표지
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NE85619-T1 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득6.5dB ~ 12.5dB
전력-최대100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-523
공급자 장치 패키지SOT-523

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0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz

이득

10dB ~ 24dB

전력-최대

136mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

4-DFP

BF799WE6327BTSA1

Infineon Technologies

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NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

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전력-최대

280mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

MS1030DE

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BF 775 E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

10.5dB ~ 16dB

전력-최대

280mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

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작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

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SOT-343F

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