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NE85630-T1-R25-A

NE85630-T1-R25-A

참조 용

부품 번호 NE85630-T1-R25-A
PNEDA 부품 번호 NE85630-T1-R25-A
설명 RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
제조업체 CEL
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE85630-T1-R25-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE85630-T1-R25-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
NE85630-T1-R25-A, NE85630-T1-R25-A 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 1,962.59 KB)
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NE85630-T1-R25-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
이득9dB
전력-최대150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce125 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

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전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

16V

주파수-전환

870MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8dB ~ 9.5dB

전력-최대

2.2W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

BFU580QX

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

10.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB @ 1.8GHz

이득

8.5dB

전력-최대

1W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

이득

-

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

이득

9dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

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