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NGB8206NTF4

NGB8206NTF4

참조 용

부품 번호 NGB8206NTF4
PNEDA 부품 번호 NGB8206NTF4
설명 IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,406
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGB8206NTF4 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGB8206NTF4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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NGB8206NTF4 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)390V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 4.5V, 20A
전력-최대150W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/5µs
테스트 조건300V, 9A, 1kOhm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

150µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/150ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

RJP60D0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

전력-최대

40W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/90ns

테스트 조건

300V, 22A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

전력-최대

600W

에너지 전환

1.3mJ (on), 370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/80ns

테스트 조건

400V, 36A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

120ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

FGPF10N60UNDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

전력-최대

42W

에너지 전환

150µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/52.2ns

테스트 조건

400V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37.7ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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