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NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G

참조 용

부품 번호 NGTB10N60R2DT4G
PNEDA 부품 번호 NGTB10N60R2DT4G
설명 IGBT 10A 600V DPAK
제조업체 ON Semiconductor
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예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB10N60R2DT4G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB10N60R2DT4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB10N60R2DT4G, NGTB10N60R2DT4G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 619.86 KB)
PDFNGTB10N60R2DT4G 데이터 시트 표지
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  • NGTB10N60R2DT4G Distributor

NGTB10N60R2DT4G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 10A
전력-최대72W
에너지 전환412µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지53nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C48ns/120ns
테스트 조건300V, 10A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)90ns
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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제조업체

IXYS

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

230W

에너지 전환

430µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/80ns

테스트 조건

400V, 20A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

IXBT32N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

400W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

RJH60V3BDPE-00#J3

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 17A

전력-최대

113W

에너지 전환

90µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

60nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/90ns

테스트 조건

300V, 17A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-83

공급자 장치 패키지

4-LDPAK

SIGC109T120R3LEX1SA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

165A

전류-수집기 펄스 (Icm)

360A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 80A

전력-최대

830W

에너지 전환

4.3mJ (on), 1.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/90ns

테스트 조건

450V, 80A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

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