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NGTB15N60R2FG

NGTB15N60R2FG

참조 용

부품 번호 NGTB15N60R2FG
PNEDA 부품 번호 NGTB15N60R2FG
설명 IGBT 15A 600V TO220-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB15N60R2FG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB15N60R2FG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB15N60R2FG, NGTB15N60R2FG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 817.58 KB)
PDFNGTB15N60R2FG 데이터 시트 표지
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  • NGTB15N60R2FG Distributor

NGTB15N60R2FG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)24A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A
전력-최대54W
에너지 전환550µJ (on), 220µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C70ns/190ns
테스트 조건300V, 15A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)95ns
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220F-3FS

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

150µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/150ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IKA15N65H5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

33.3W

에너지 전환

120µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/160ns

테스트 조건

400V, 7.5A, 39Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

48ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IRGH4610DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NGTB45N60S1WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.25mJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

72ns/132ns

테스트 조건

400V, 45A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG7PH35UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

210W

에너지 전환

1.06mJ (on), 620µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/160ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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