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NGTB15N60S1EG

NGTB15N60S1EG

참조 용

부품 번호 NGTB15N60S1EG
PNEDA 부품 번호 NGTB15N60S1EG
설명 IGBT 600V 30A 117W TO220-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 24 - 1월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB15N60S1EG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB15N60S1EG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB15N60S1EG, NGTB15N60S1EG 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 132.69 KB)
PDFNGTB15N60S1EG 데이터 시트 표지
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NGTB15N60S1EG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 15A
전력-최대117W
에너지 전환550µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지88nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C65ns/170ns
테스트 조건400V, 15A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)270ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

전력-최대

556W

에너지 전환

4.6mJ (on), 3.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

440nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/430ns

테스트 조건

600V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247AD

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

44A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.35mJ (on), 400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

40nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/73ns

테스트 조건

450V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

340ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRGP4790D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전력-최대

455W

에너지 전환

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.16mJ (on), 470µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/93ns

테스트 조건

600V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT75GN120LG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

833W

에너지 전환

8620µJ (on), 11400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

425nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/620ns

테스트 조건

800V, 75A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

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