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NGTB30N120FL2WG

NGTB30N120FL2WG

참조 용

부품 번호 NGTB30N120FL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB30N120FL2WG
설명 IGBT 1200V 60A 452W TO247
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB30N120FL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB30N120FL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB30N120FL2WG, NGTB30N120FL2WG 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 106.55 KB)
PDFNGTB30N120FL2WG 데이터 시트 표지
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NGTB30N120FL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 30A
전력-최대452W
에너지 전환2.6mJ (on), 700µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C98ns/210ns
테스트 조건600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)240ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 6A

전력-최대

68W

에너지 전환

190µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/196ns

테스트 조건

400V, 6A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

AOK75B60D1

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

290A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

500W

에너지 전환

3.7mJ (on), 1.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

118nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/84ns

테스트 조건

400V, 75A, 4Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

147ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGP14N60D

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

전력-최대

95W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

390V, 7A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

88A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 10A

전력-최대

180W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/100ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.6µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263

IRG7PH35UD1PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

179W

에너지 전환

620µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/160ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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