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NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

참조 용

부품 번호 NGTB30N65IHL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB30N65IHL2WG
설명 IGBT 600V 70A 300W TO247
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB30N65IHL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB30N65IHL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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PDFNGTB30N65IHL2WG 데이터 시트 표지
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  • NGTB30N65IHL2WG Distributor

NGTB30N65IHL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A
전력-최대300W
에너지 전환200µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/145ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)430ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

전력-최대

238W

에너지 전환

598µJ (on), 167µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

54.7nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14.4ns/52.8ns

테스트 조건

400V, 30A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31.8ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

APT40GT60BRG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

345W

에너지 전환

828µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/124ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

FGH30N60LSDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

전력-최대

480W

에너지 전환

1.1mJ (on), 21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/250ns

테스트 조건

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGWA60NC60WDR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

340W

에너지 전환

743µJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

195nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/240ns

테스트 조건

390V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 50A

전력-최대

750W

에너지 전환

3mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/133ns

테스트 조건

600V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

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