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NGTB40N120IHLWG

NGTB40N120IHLWG

참조 용

부품 번호 NGTB40N120IHLWG
PNEDA 부품 번호 NGTB40N120IHLWG
설명 IGBT 1200V 40A TO247
제조업체 ON Semiconductor
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NGTB40N120IHLWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB40N120IHLWG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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NGTB40N120IHLWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)320A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 40A
전력-최대260W
에너지 전환1.4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지420nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/360ns
테스트 조건600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

관심을 가질만한 제품

FGAF40S65AQ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

94W

에너지 전환

132µJ (on), 62µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17.8ns/81.6ns

테스트 조건

400V, 10A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

274ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF-3

STGW20NB60KD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

전력-최대

170W

에너지 전환

675µJ (on), 500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/105ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/127ns

테스트 조건

960V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

APT15GP90KG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

43A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

60nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/33ns

테스트 조건

600V, 15A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220 [K]

GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

35A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

전력-최대

-

에너지 전환

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

800V, 35A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

36ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AB

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IRLML9301TRPBF

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WSL20108L000FEA

WSL20108L000FEA

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