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NGTB40N65IHL2WG

NGTB40N65IHL2WG

참조 용

부품 번호 NGTB40N65IHL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB40N65IHL2WG
설명 IGBT 650V 40A TO-247
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB40N65IHL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB40N65IHL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB40N65IHL2WG, NGTB40N65IHL2WG 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 175.24 KB)
PDFNGTB40N65IHL2WG 데이터 시트 표지
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  • NGTB40N65IHL2WG Distributor

NGTB40N65IHL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 40A
전력-최대300W
에너지 전환360µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/140ns
테스트 조건400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)465ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

관심을 가질만한 제품

SGB15N60HSATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

27A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 15A

전력-최대

138W

에너지 전환

530µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/209ns

테스트 조건

400V, 15A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

STGP20V60F

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

200µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/149ns

테스트 조건

400V, 20A, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

IGP20N60H3XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

170W

에너지 전환

690µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/194ns

테스트 조건

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

STGF30NC60S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

전력-최대

40W

에너지 전환

300µJ (on), 1.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

96nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21.5ns/180ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

STGB4M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

16A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

68W

에너지 전환

40µJ (on), 136µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/86ns

테스트 조건

400V, 4A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

133ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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