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NGTB50N120FL2WG

NGTB50N120FL2WG

참조 용

부품 번호 NGTB50N120FL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB50N120FL2WG
설명 IGBT 1200V 100A 535W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $93.7167
50 ---------- $89.3238
100 ---------- $84.9308
200 ---------- $80.5378
400 ---------- $76.8770
500 ---------- $73.2162
재고 있음 851
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NGTB50N120FL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB50N120FL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB50N120FL2WG, NGTB50N120FL2WG 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 106.47 KB)
PDFNGTB50N120FL2WG 데이터 시트 표지
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  • NGTB50N120FL2WG Distributor

NGTB50N120FL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 50A
전력-최대535W
에너지 전환4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지311nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C118ns/282ns
테스트 조건600V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)256ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

277W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

94nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/143ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

54ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

DGTD65T60S2PT

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

전력-최대

428W

에너지 전환

920µJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/142ns

테스트 조건

400V, 60A, 7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

205ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

SLA5227

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

12-SIP

공급자 장치 패키지

12-SIP w/fin

IXBF20N360

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

230W

에너지 전환

15.5mJ (on), 4.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

43nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/238ns

테스트 조건

1500V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5

공급자 장치 패키지

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IRG4PSH71KD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

156A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 42A

전력-최대

350W

에너지 전환

5.68mJ (on), 3.23mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

410nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

67ns/230ns

테스트 조건

800V, 42A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

107ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-274AA

공급자 장치 패키지

SUPER-247™ (TO-274AA)

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