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NGTB50N60FL2WG

NGTB50N60FL2WG

참조 용

부품 번호 NGTB50N60FL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB50N60FL2WG
설명 IGBT 600V 50A TO247
제조업체 ON Semiconductor
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NGTB50N60FL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB50N60FL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB50N60FL2WG, NGTB50N60FL2WG 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 236.92 KB)
PDFNGTB50N60FL2WG 데이터 시트 표지
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NGTB50N60FL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
전력-최대417W
에너지 전환1.5mJ (on), 460µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C100ns/237ns
테스트 조건400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)94ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

관심을 가질만한 제품

RGTH60TK65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

전력-최대

61W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

58nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/105ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

APT45GP120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

170A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

전력-최대

625W

에너지 전환

900µJ (on), 904µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/102ns

테스트 조건

600V, 45A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

AOTF15B60D2

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 10A

전력-최대

42W

에너지 전환

260µJ (on), 70µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

17.4nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/72ns

테스트 조건

400V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

105ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220-3F

제조업체

IXYS

시리즈

GenX4™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

116A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

전력-최대

455W

에너지 전환

3.13mJ (on), 1.15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/145ns

테스트 조건

400V, 60A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXXH)

STGW50HF60SD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 30A

전력-최대

284W

에너지 전환

250µJ (on), 4.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/220ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

67ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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38212000410

38212000410

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FUSE BOARD MOUNT 2A 250VAC RAD

NLC565050T-101K-PF

NLC565050T-101K-PF

TDK

FIXED IND 100UH 250MA 1.6 OHM

7M-12.000MAAE-T

7M-12.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323