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NGTB50N60FL2WG

NGTB50N60FL2WG

참조 용

부품 번호 NGTB50N60FL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB50N60FL2WG
설명 IGBT 600V 50A TO247
제조업체 ON Semiconductor
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NGTB50N60FL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB50N60FL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB50N60FL2WG, NGTB50N60FL2WG 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 236.92 KB)
PDFNGTB50N60FL2WG 데이터 시트 표지
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NGTB50N60FL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
전력-최대417W
에너지 전환1.5mJ (on), 460µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C100ns/237ns
테스트 조건400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)94ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

관심을 가질만한 제품

제조업체

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시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

전력-최대

250W

에너지 전환

1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/160ns

테스트 조건

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

STGW60H65DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 60A

전력-최대

360W

에너지 전환

1.5mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

206nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

67ns/165ns

테스트 조건

400V, 60A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

62ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRG4BC20F

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

70µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/190ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT45GP120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

170A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

전력-최대

625W

에너지 전환

900µJ (on), 904µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/102ns

테스트 조건

600V, 45A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

STGW50HF60SD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 30A

전력-최대

284W

에너지 전환

250µJ (on), 4.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/220ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

67ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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LTC2870IFE#PBF

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T491X227K016AT

T491X227K016AT

KEMET

CAP TANT 220UF 10% 16V 2917