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NGTB50N60FWG

NGTB50N60FWG

참조 용

부품 번호 NGTB50N60FWG
PNEDA 부품 번호 NGTB50N60FWG
설명 IGBT 600V 100A 223W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,382
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB50N60FWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB50N60FWG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB50N60FWG, NGTB50N60FWG 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 177.95 KB)
PDFNGTB50N60FWG 데이터 시트 표지
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NGTB50N60FWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 50A
전력-최대223W
에너지 전환1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C117ns/285ns
테스트 조건400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)77ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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SGF5N150UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5.5V @ 10V, 5A

전력-최대

62.5W

에너지 전환

190µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/30ns

테스트 조건

600V, 5A, 10Ohm, 10V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

IRG6S320UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 24A

전력-최대

114W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/89ns

테스트 조건

196V, 12A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGP10NB60S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

29A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

전력-최대

80W

에너지 전환

600µJ (on), 5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

700ns/1.2µs

테스트 조건

480V, 10A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGA5065ADF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

268W

에너지 전환

1.35mJ (on), 309µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20.8ns/62.4ns

테스트 조건

400V, 50A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31.8ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

STGB20M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

166W

에너지 전환

140µJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/108ns

테스트 조건

400V, 20A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

166ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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