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NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

참조 용

부품 번호 NGTG12N60TF1G
PNEDA 부품 번호 NGTG12N60TF1G
설명 IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,488
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTG12N60TF1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTG12N60TF1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTG12N60TF1G, NGTG12N60TF1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 392.32 KB)
PDFNGTG12N60TF1G 데이터 시트 표지
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  • NGTG12N60TF1G Distributor

NGTG12N60TF1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)24A
전류-수집기 펄스 (Icm)88A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 12A
전력-최대54W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C55ns/200ns
테스트 조건300V, 15A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

900ns/6µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

IRGP4263PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

192A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 48A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.7mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/140ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

NGTD13T65F2WP

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

HGTG30N60B3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

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에너지 전환

500µJ (on), 680µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/137ns

테스트 조건

480V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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