NJVMJD45H11T4G
참조 용
| 부품 번호 | NJVMJD45H11T4G |
| PNEDA 부품 번호 | NJVMJD45H11T4G |
| 설명 | TRANS PNP 80V 8A DPAK-4 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,508 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
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NJVMJD45H11T4G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NJVMJD45H11T4G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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NJVMJD45H11T4G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 8A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 80V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 1μA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 1V |
| 전력-최대 | 1.75W |
| 주파수-전환 | 90MHz |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | DPAK |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 400MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 10V 전력-최대 625mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V 전력-최대 300mW 주파수-전환 300MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
