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NM27LV010T250

NM27LV010T250

참조 용

부품 번호 NM27LV010T250
PNEDA 부품 번호 NM27LV010T250
설명 IC EPROM 1M PARALLEL 32TSOP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NM27LV010T250 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NM27LV010T250
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NM27LV010T250, NM27LV010T250 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 100.82 KB)
PDFNM27LV010T250 데이터 시트 표지
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NM27LV010T250 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간250ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지32-TSOP

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (14x14)

IS61WV5128BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-TFBGA

공급자 장치 패키지

36-TFBGA (6x8)

MT25QL02GCBA8E12-0SI

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 2.8ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

S26KL512SDABHN020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

HyperFlash™ KL

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

96ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-VBGA

공급자 장치 패키지

24-FBGA (6x8)

N64S818HAT21I

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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