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NM93C56LN

NM93C56LN

참조 용

부품 번호 NM93C56LN
PNEDA 부품 번호 NM93C56LN
설명 IC EEPROM 2K SPI 250KHZ 8DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NM93C56LN 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NM93C56LN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NM93C56LN, NM93C56LN 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 107.67 KB)
PDFNM93C56M8 데이터 시트 표지
NM93C56M8 데이터 시트 페이지 2 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 3 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 4 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 5 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 6 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 7 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 8 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 9 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 10 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 11

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NM93C56LN 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (128 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수250kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-DIP

관심을 가질만한 제품

S25FL128LAGNFI010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-L

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (5x6)

MTFC16GAKAEJP-4M IT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-VFBGA

공급자 장치 패키지

153-VFBGA (11.5x13)

IS46DR16640C-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (8x12.5)

IS42VS16100C1-10TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

50-TSOP II

71T75902S85BGG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

최근 판매

LTST-C191KRKT

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LED RED CLEAR SMD

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

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WSL1206R0250FEA18

Vishay Dale

RES 25 MOHM 1% 1/2W 1206

HSMF-C155

HSMF-C155

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LED GREEN/RED DIFFUSED CHIP SMD

IS42S16160G-7BLI-TR

IS42S16160G-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

0466001.NR

0466001.NR

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 1A 63VAC/VDC 1206

FSA2567MPX

FSA2567MPX

ON Semiconductor

IC SWITCH 4PDT 16MLP

SMCJ70CA-E3/57T

SMCJ70CA-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 70V 113V DO214AB

STW14NM50

STW14NM50

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

RRH050P03TB1

RRH050P03TB1

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MAX16027TP+

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CY2304SXI-1

CY2304SXI-1

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IC CLK ZDB 4OUT 133MHZ 8SOIC