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NM93CS46EN

NM93CS46EN

참조 용

부품 번호 NM93CS46EN
PNEDA 부품 번호 NM93CS46EN
설명 IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,488
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 7 - 5월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NM93CS46EN 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NM93CS46EN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NM93CS46EN, NM93CS46EN 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 727.69 KB)
PDFNM93CS46M8 데이터 시트 표지
NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 2 NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 3 NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 4 NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 5 NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 6 NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 7 NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 8 NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 9 NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 10 NM93CS46M8 데이터 시트 페이지 11

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NM93CS46EN 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Kb (64 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간-
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-DIP

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP II

JS28F128P33BF70A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

R1LV5256ESP-7SI#S0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOP

70121L35J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

18Kb (2K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

MT53B768M64D8WF-062 WT:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

48Gb (768M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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