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NP100N055PUK-E1-AY

NP100N055PUK-E1-AY

참조 용

부품 번호 NP100N055PUK-E1-AY
PNEDA 부품 번호 NP100N055PUK-E1-AY
설명 MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
제조업체 Renesas Electronics America
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NP100N055PUK-E1-AY 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NP100N055PUK-E1-AY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NP100N055PUK-E1-AY, NP100N055PUK-E1-AY 데이터 시트 (총 페이지: 1, 크기: 57.64 KB)
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NP100N055PUK-E1-AY 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.25mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs120nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7350pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.8W (Ta), 176W (Tc)
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263 (D²Pak)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2590pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

385mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 340µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

BSS131L6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

240V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 56µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

77pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

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APTM100DA18TG

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

210mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

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-

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1.2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 5V

Vgs (최대)

+6V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 50V

FET 기능

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