NP180N04TUJ-E1-AY
참조 용
| 부품 번호 | NP180N04TUJ-E1-AY |
| PNEDA 부품 번호 | NP180N04TUJ-E1-AY |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 |
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,316 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NP180N04TUJ-E1-AY 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NP180N04TUJ-E1-AY |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NP180N04TUJ-E1-AY 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 180A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14250pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.8W (Ta), 348W (Tc) |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TO-263-7 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.8nC @ 7V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 68pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 360mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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