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NP180N04TUJ-E1-AY

NP180N04TUJ-E1-AY

참조 용

부품 번호 NP180N04TUJ-E1-AY
PNEDA 부품 번호 NP180N04TUJ-E1-AY
설명 MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
제조업체 Renesas Electronics America
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NP180N04TUJ-E1-AY 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NP180N04TUJ-E1-AY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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NP180N04TUJ-E1-AY 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs230nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14250pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.8W (Ta), 348W (Tc)
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263-7
패키지 / 케이스TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

805pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.8nC @ 7V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

68pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

520mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1423pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

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Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (최대)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

396mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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전력 손실 (최대)

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