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NP90N055NUK-S18-AY

NP90N055NUK-S18-AY

참조 용

부품 번호 NP90N055NUK-S18-AY
PNEDA 부품 번호 NP90N055NUK-S18-AY
설명 MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
제조업체 Renesas Electronics America
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재고 있음 2,070
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NP90N055NUK-S18-AY 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NP90N055NUK-S18-AY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NP90N055NUK-S18-AY, NP90N055NUK-S18-AY 데이터 시트 (총 페이지: 1, 크기: 56.5 KB)
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NP90N055NUK-S18-AY 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs120nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7350pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.8W (Ta), 176W (Tc)
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-262-3
패키지 / 케이스TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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FET 유형

N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

850V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

654pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

NTB75N06LG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 37.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

92nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4370pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 214W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PH2625L,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4308pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

62.5W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 8.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

190W (Tc)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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Vgs (최대)

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