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NRVB120ESFT3G

NRVB120ESFT3G

참조 용

부품 번호 NRVB120ESFT3G
PNEDA 부품 번호 NRVB120ESFT3G
설명 DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,286
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NRVB120ESFT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NRVB120ESFT3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NRVB120ESFT3G, NRVB120ESFT3G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 105.86 KB)
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NRVB120ESFT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)20V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If530mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1nA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-80 Variant

공급자 장치 패키지

SOD-80 QuadroMELF

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-

CS2M-E3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.1µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

65DN06ELEMPRXPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8470A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 10000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AB, B-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

ES1FL MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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