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NRVBA1H100T3G

NRVBA1H100T3G

참조 용

부품 번호 NRVBA1H100T3G
PNEDA 부품 번호 NRVBA1H100T3G
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 158,250
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NRVBA1H100T3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NRVBA1H100T3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NRVBA1H100T3G, NRVBA1H100T3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 244.28 KB)
PDFNRVBA1H100T3G-VF01 데이터 시트 표지
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NRVBA1H100T3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If760mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr40µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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250A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 800A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

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Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

2ns

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SSMini2-F1

작동 온도-접합

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

Through Hole

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