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NRVHPM120T3G

NRVHPM120T3G

참조 용

부품 번호 NRVHPM120T3G
PNEDA 부품 번호 NRVHPM120T3G
설명 DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NRVHPM120T3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NRVHPM120T3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NRVHPM120T3G, NRVHPM120T3G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 65.93 KB)
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NRVHPM120T3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)25ns
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-216AA
공급자 장치 패키지Powermite
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

780ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

BAV19WS RRG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

SS14L RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

BAL99,215

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

70V

전류-평균 정류 (Io)

215mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 70V

커패시턴스 @ Vr, F

1.5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

작동 온도-접합

150°C (Max)

RBR2LAM60BTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

520mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-128

공급자 장치 패키지

PMDTM

작동 온도-접합

150°C (Max)

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