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NRVTS10100MFST1G

NRVTS10100MFST1G

참조 용

부품 번호 NRVTS10100MFST1G
PNEDA 부품 번호 NRVTS10100MFST1G
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,518
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 11 - 2월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NRVTS10100MFST1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NRVTS10100MFST1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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NRVTS10100MFST1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If720mV @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN, 5 Leads
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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4500V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

6.2V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

230ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 4500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

3-FLATLEAD

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

제조업체

IXYS

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2000V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Y1-CU

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시리즈

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다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SFAF508G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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