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NRVTS12120EMFST3G

NRVTS12120EMFST3G

참조 용

부품 번호 NRVTS12120EMFST3G
PNEDA 부품 번호 NRVTS12120EMFST3G
설명 DIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NRVTS12120EMFST3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NRVTS12120EMFST3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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NRVTS12120EMFST3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)120V
전류-평균 정류 (Io)12A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If830mV @ 12A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr55µA @ 120V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN, 5 Leads
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

550A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

15µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Micro Commercial Co

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial, Radial Bend

공급자 장치 패키지

A-405

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RA251GP-BP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 25A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

RA

공급자 장치 패키지

RA

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

SBRT15M50AP5-7D

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

540mV @ 15A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

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