NRVUD550PFT4G-VF01
참조 용
| 부품 번호 | NRVUD550PFT4G-VF01 |
| PNEDA 부품 번호 | NRVUD550PFT4G-VF01 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 520V 5A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,276 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NRVUD550PFT4G-VF01 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NRVUD550PFT4G-VF01 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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NRVUD550PFT4G-VF01 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | SWITCHMODE™ |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 520V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 5A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.15V @ 5A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 95ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 520V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | DPAK |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1600V 커패시턴스 @ Vr, F 5pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 16A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 100mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 2.3µA @ 25V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-80 Variant 공급자 장치 패키지 SOD-80 QuadroMELF 작동 온도-접합 125°C (Max) |
제조업체 Global Power Technologies Group 시리즈 Amp+™ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 30A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.65V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 40µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 527pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220-2 작동 온도-접합 -50°C ~ 175°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Stealth™ 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.2V @ 15A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 40ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
