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NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

참조 용

부품 번호 NSBA114YDXV6T1
PNEDA 부품 번호 NSBA114YDXV6T1
설명 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,488
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSBA114YDXV6T1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSBA114YDXV6T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
NSBA114YDXV6T1, NSBA114YDXV6T1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 132.54 KB)
PDFNSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 표지
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  • NSBA114YDXV6T1 Distributor

NSBA114YDXV6T1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환-
전력-최대500mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 PNP Pre-Biased, 1 PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 1.8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 20V

저항-베이스 (R1)

22kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA, 100nA

주파수-전환

130MHz

전력-최대

760mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

RN4609(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SM6

RN2968FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

IMD14T108

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

220Ohms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

82 @ 100mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SMT6

UMA9NTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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