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NSBA144EDXV6T5G

NSBA144EDXV6T5G

참조 용

부품 번호 NSBA144EDXV6T5G
PNEDA 부품 번호 NSBA144EDXV6T5G
설명 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,992
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSBA144EDXV6T5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSBA144EDXV6T5G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
NSBA144EDXV6T5G, NSBA144EDXV6T5G 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 132.54 KB)
PDFNSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 표지
NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 2 NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 3 NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 4 NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 5 NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 6 NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 7 NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 8 NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 9 NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 10 NSBA143ZDXV6T5G 데이터 시트 페이지 11

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  • NSBA144EDXV6T5G Distributor

NSBA144EDXV6T5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)-
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환-
전력-최대-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

125mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-665

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

UMT6

PUMD10,135

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

NSBC115TPDP6T5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

100kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

339mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

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