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NSCT817-40LT3G

NSCT817-40LT3G

참조 용

부품 번호 NSCT817-40LT3G
PNEDA 부품 번호 NSCT817-40LT3G
설명 TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,526
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSCT817-40LT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSCT817-40LT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
NSCT817-40LT3G, NSCT817-40LT3G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 56.34 KB)
PDFNSCT817-40LT3G 데이터 시트 표지
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NSCT817-40LT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce250 @ 100mA, 1V
전력-최대225mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

BC182_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PMBTA14,215

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

BC 856B E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

330mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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