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NSR20F30QNXT5G

NSR20F30QNXT5G

참조 용

부품 번호 NSR20F30QNXT5G
PNEDA 부품 번호 NSR20F30QNXT5G
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 2A 2DSN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSR20F30QNXT5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSR20F30QNXT5G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NSR20F30QNXT5G, NSR20F30QNXT5G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 253.43 KB)
PDFNSR20F30QNXT5G 데이터 시트 표지
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NSR20F30QNXT5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)2A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If480mV @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr150µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-XDFN
공급자 장치 패키지2-DSN (1.6x.80)
작동 온도-접합150°C (Max)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

740mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

180pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

CDSUR400

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 0.5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

0603/SOD-523F

작동 온도-접합

125°C (Max)

VS-25F100M

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 78A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

JANTX1N4942

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/359

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

A, Axial

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

ES3DV V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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DO-214AB (SMC)

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