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NSS20601CF8T1G

NSS20601CF8T1G

참조 용

부품 번호 NSS20601CF8T1G
PNEDA 부품 번호 NSS20601CF8T1G
설명 TRANS NPN 20V 6A 1206A CHIPFET
제조업체 ON Semiconductor
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NSS20601CF8T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSS20601CF8T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
NSS20601CF8T1G, NSS20601CF8T1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 82.83 KB)
PDFNSS20601CF8T1G 데이터 시트 표지
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  • NSS20601CF8T1G Distributor

NSS20601CF8T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic130mV @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 1A, 2V
전력-최대830mW
주파수-전환140MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지ChipFET™

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160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 300mA, 5V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

155MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 375mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 1A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

90MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

3-SIP

공급자 장치 패키지

MT-4-A1

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

250nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

NSS60201LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

140mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 1A, 2V

전력-최대

460mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

전력-최대

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