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NSV40200UW6T1G

NSV40200UW6T1G

참조 용

부품 번호 NSV40200UW6T1G
PNEDA 부품 번호 NSV40200UW6T1G
설명 TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSV40200UW6T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSV40200UW6T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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NSV40200UW6T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 20mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce150 @ 1A, 2V
전력-최대875mW
주파수-전환140MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-WDFN (2x2)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 15mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 1V

전력-최대

400mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2DC4617QLP-7B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-UFDFN

공급자 장치 패키지

3-DFN1006 (1.0x0.6)

2N3565

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BCX5310E6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

125MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PG-SOT89

JAN2N6051

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

전력-최대

150W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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