NSV60100DMTWTBG
참조 용
| 부품 번호 | NSV60100DMTWTBG |
| PNEDA 부품 번호 | NSV60100DMTWTBG |
| 설명 | DUAL TRANSISTOR PNP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 25,560 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NSV60100DMTWTBG 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NSV60100DMTWTBG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NSV60100DMTWTBG 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN (Dual) |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 1A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 60V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 2A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| 전력-최대 | 2.27W |
| 주파수-전환 | 155MHz |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-WDFN (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 1V 전력-최대 200mW 주파수-전환 300MHz, 250MHz 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V 전력-최대 350mW 주파수-전환 - 작동 온도 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-78-6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A, 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V 전력-최대 1.7W 주파수-전환 150MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN (3x2) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V 전력-최대 150mW 주파수-전환 300MHz, 250MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 11V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 10V 전력-최대 150mW 주파수-전환 3.2GHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 UMT6 |
