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NSV60100DMTWTBG

NSV60100DMTWTBG

참조 용

부품 번호 NSV60100DMTWTBG
PNEDA 부품 번호 NSV60100DMTWTBG
설명 DUAL TRANSISTOR PNP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 25,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSV60100DMTWTBG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSV60100DMTWTBG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
NSV60100DMTWTBG, NSV60100DMTWTBG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 111.92 KB)
PDFNSV60100DMTWTBG 데이터 시트 표지
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NSV60100DMTWTBG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 2V
전력-최대2.27W
주파수-전환155MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-WDFN (2x2)

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Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

300MHz, 250MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

2N2920

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

-

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

ZXTC4591AMCTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A, 1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V

전력-최대

1.7W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (3x2)

SMBT3946DW1T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

150mW

주파수-전환

300MHz, 250MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

UMX5NTR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

11V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

3.2GHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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