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NSVBC857CWT1G

NSVBC857CWT1G

참조 용

부품 번호 NSVBC857CWT1G
PNEDA 부품 번호 NSVBC857CWT1G
설명 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 21,672
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVBC857CWT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVBC857CWT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
NSVBC857CWT1G, NSVBC857CWT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 147.13 KB)
PDFSBC857BWT1G 데이터 시트 표지
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NSVBC857CWT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
전력-최대150mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SC-70-3 (SOT323)

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제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.7V @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 1V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

PBSS302NZ,135

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5.8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 290mA, 5.8A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 2A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SC-73

ZTX601B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 10mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 500mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

250MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

KSC2073H1TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 10V

전력-최대

25W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

KSC3552NTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

800V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 1.2A, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 800mA, 5V

전력-최대

150W

주파수-전환

15MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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