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NSVD350HT1G

NSVD350HT1G

참조 용

부품 번호 NSVD350HT1G
PNEDA 부품 번호 NSVD350HT1G
설명 DIODE GEN PURP 350V 200MA SOD323
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVD350HT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVD350HT1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
NSVD350HT1G, NSVD350HT1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 53.17 KB)
PDFNSVD350HT1G 데이터 시트 표지
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NSVD350HT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)350V
전류-평균 정류 (Io)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)55ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 350V
커패시턴스 @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323
작동 온도-접합-55°C ~ 155°C

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70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 220A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-203AB (DO-5)

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

270A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

3-MAGN-A-PAK™

공급자 장치 패키지

MAGN-A-PAK®

작동 온도-접합

-

S1DLHRUG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

8ETX06-1

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

FRED Pt®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

24ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

작동 온도-접합

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B150-M3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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