NSVJ5908DSG5T1G
참조 용
| 부품 번호 | NSVJ5908DSG5T1G |
| PNEDA 부품 번호 | NSVJ5908DSG5T1G |
| 설명 | NCH+NCH J-FET |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,874 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 26 - 7월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NSVJ5908DSG5T1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NSVJ5908DSG5T1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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NSVJ5908DSG5T1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 15V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 15V |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10mA @ 5V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | 50mA |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 300mV @ 100µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 10.5pF @ 5V (Typ) |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 300mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 5-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | SC-88AFL/MCPH5 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 - 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) - 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-71-6 공급자 장치 패키지 TO-71 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 60 Ohms 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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