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NSVMMBT6517LT1G

NSVMMBT6517LT1G

참조 용

부품 번호 NSVMMBT6517LT1G
PNEDA 부품 번호 NSVMMBT6517LT1G
설명 TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,172
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NSVMMBT6517LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVMMBT6517LT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
NSVMMBT6517LT1G, NSVMMBT6517LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 119.71 KB)
PDFMMBT6517LT3G 데이터 시트 표지
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NSVMMBT6517LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 50mA, 10V
전력-최대225mW
주파수-전환200MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

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STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 2.5A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 5A, 4V

전력-최대

90W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

450mV @ 250mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 2A, 2V

전력-최대

2.1W

주파수-전환

90MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

3-HUSON (2x2)

STR1550

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 6mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 10mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

200nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

200mW

주파수-전환

520MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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