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NSVMSB1218A-RT1G

NSVMSB1218A-RT1G

참조 용

부품 번호 NSVMSB1218A-RT1G
PNEDA 부품 번호 NSVMSB1218A-RT1G
설명 TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVMSB1218A-RT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVMSB1218A-RT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
NSVMSB1218A-RT1G, NSVMSB1218A-RT1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 117.65 KB)
PDFMSB1218A-RT1 데이터 시트 표지
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  • NSVMSB1218A-RT1G Distributor

NSVMSB1218A-RT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce210 @ 2mA, 10V
전력-최대150mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SC-70-3 (SOT323)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

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작동 온도

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Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

전력-최대

6W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-204AA (TO-3)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 500mA, 5V

전력-최대

25W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

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Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

32V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

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