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NSVS50030SB3T1G

NSVS50030SB3T1G

참조 용

부품 번호 NSVS50030SB3T1G
PNEDA 부품 번호 NSVS50030SB3T1G
설명 TRANS PNP BIPO 50V 3A CPH3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVS50030SB3T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVS50030SB3T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
NSVS50030SB3T1G, NSVS50030SB3T1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 162 KB)
PDFNSVS50030SB3T1G 데이터 시트 표지
NSVS50030SB3T1G 데이터 시트 페이지 2 NSVS50030SB3T1G 데이터 시트 페이지 3 NSVS50030SB3T1G 데이터 시트 페이지 4 NSVS50030SB3T1G 데이터 시트 페이지 5 NSVS50030SB3T1G 데이터 시트 페이지 6 NSVS50030SB3T1G 데이터 시트 페이지 7

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NSVS50030SB3T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)-
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환-
전력-최대-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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ON Semiconductor

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

저항-베이스 (R1)

2.2kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

-

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

130MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

RN1909FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

RN4989(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

주파수-전환

250MHz, 200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

UMF8NTR

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 15V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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