Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

NTB23N03RG

NTB23N03RG

참조 용

부품 번호 NTB23N03RG
PNEDA 부품 번호 NTB23N03RG
설명 MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,232
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTB23N03RG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTB23N03RG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTB23N03RG, NTB23N03RG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 87.63 KB)
PDFNTB23N03RT4G 데이터 시트 표지
NTB23N03RT4G 데이터 시트 페이지 2 NTB23N03RT4G 데이터 시트 페이지 3 NTB23N03RT4G 데이터 시트 페이지 4 NTB23N03RT4G 데이터 시트 페이지 5 NTB23N03RT4G 데이터 시트 페이지 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • NTB23N03RG Datasheet
  • where to find NTB23N03RG
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTB23N03RG
  • NTB23N03RG PDF Datasheet
  • NTB23N03RG Stock

  • NTB23N03RG Pinout
  • Datasheet NTB23N03RG
  • NTB23N03RG Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTB23N03RG Price
  • NTB23N03RG Distributor

NTB23N03RG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)23A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.76nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds225pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)37.5W (Tj)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

관심을 가질만한 제품

FQPF1N60

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

900mA (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5Ohm @ 450mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

21W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

STTFS010N10MCL

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

SSM3K48FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

SPP80N04S2-H4

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

148nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5890pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

STP15NK50Z

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

340mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

106nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2260pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

최근 판매

1N5819HW-7-F

1N5819HW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123

SMAJ5.0CA-13-F

SMAJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMA

TAJA105K016RNJ

TAJA105K016RNJ

CAP TANT 1UF 10% 16V 1206

T491C107K016AT

T491C107K016AT

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 16V 2312

S14100038

S14100038

Wurth Electronics

CMC 560UH 20A 2LN TH

LTM8045IY#PBF

LTM8045IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER +/-2.5 +/-15V

SMBJ7.0CA-E3/52

SMBJ7.0CA-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 7V 12V DO214AA

SP3232EEN-L

SP3232EEN-L

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

FM25V02A-DG

FM25V02A-DG

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

ADM3202ARUZ

ADM3202ARUZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

SI7114DN-T1-E3

SI7114DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8