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NTB90N02T4

NTB90N02T4

참조 용

부품 번호 NTB90N02T4
PNEDA 부품 번호 NTB90N02T4
설명 MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
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NTB90N02T4 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTB90N02T4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTB90N02T4, NTB90N02T4 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 69.33 KB)
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NTB90N02T4 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2120pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)85W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

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FET 유형

P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.97A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.4nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

86A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

480W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXTA)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQJ410EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6210pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 180µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

157nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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