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NTD32N06L-001

NTD32N06L-001

참조 용

부품 번호 NTD32N06L-001
PNEDA 부품 번호 NTD32N06L-001
설명 MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
제조업체 ON Semiconductor
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NTD32N06L-001 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTD32N06L-001
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTD32N06L-001, NTD32N06L-001 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 98.39 KB)
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  • NTD32N06L-001 Distributor

NTD32N06L-001 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)32A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs28mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs50nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1700pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지I-PAK
패키지 / 케이스TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.764nC @ 4.5V

Vgs (최대)

12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

900mW (Ta)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TLM621

패키지 / 케이스

6-PowerVFDFN

NTLJS1102PTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

720mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1585pF @ 4V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

PSMN3R0-60ES,127

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8079pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

306W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI7136DP-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3380pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta), 39W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

SIRA58DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3750pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

27.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

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