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NTD4805N-35G

NTD4805N-35G

참조 용

부품 번호 NTD4805N-35G
PNEDA 부품 번호 NTD4805N-35G
설명 MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK
제조업체 ON Semiconductor
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NTD4805N-35G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTD4805N-35G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTD4805N-35G, NTD4805N-35G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 140.9 KB)
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NTD4805N-35G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12.7A (Ta), 95A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs48nC @ 11.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2865pF @ 12V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.41W (Ta), 79W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지I-PAK
패키지 / 케이스TO-251-3 Stub Leads, IPak

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

56A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 56A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQU20N06TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

63mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 38W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPI26CN10N G

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 39µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2070pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STP16NS25FP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MESH OVERLAY™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1270pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

FDB9406L-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8600pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

176W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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