NTD4863NA-1G
참조 용
| 부품 번호 | NTD4863NA-1G |
| PNEDA 부품 번호 | NTD4863NA-1G |
| 설명 | MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,930 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTD4863NA-1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTD4863NA-1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NTD4863NA-1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.2A (Ta), 49A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 990pF @ 12V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | I-PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.7mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 5V Vgs (최대) 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOP 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 114nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4780pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 DeepGATE™, STripFET™ VII FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 96nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6340pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 135W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
