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NTHD3100CT3

NTHD3100CT3

참조 용

부품 번호 NTHD3100CT3
PNEDA 부품 번호 NTHD3100CT3
설명 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
제조업체 ON Semiconductor
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NTHD3100CT3 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTHD3100CT3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTHD3100CT3, NTHD3100CT3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 138.04 KB)
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NTHD3100CT3 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.9A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds165pF @ 10V
전력-최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지ChipFET™

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.1A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

805pF @ 20V

전력-최대

2.6W (Ta)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 15V

전력-최대

960mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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APTM120A20SG

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

600nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15200pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 4V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

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