NTHD4102PT3G
참조 용
| 부품 번호 | NTHD4102PT3G |
| PNEDA 부품 번호 | NTHD4102PT3G |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,880 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTHD4102PT3G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTHD4102PT3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTHD4102PT3G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.9A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 750pF @ 16V |
| 전력-최대 | 1.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | ChipFET™ |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 490pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel, Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V, 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A, 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 805pF @ 15V 전력-최대 4.5W, 3.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
