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NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G

참조 용

부품 번호 NTJD4001NT1G
PNEDA 부품 번호 NTJD4001NT1G
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1,699,314
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTJD4001NT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTJD4001NT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTJD4001NT1G, NTJD4001NT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 192.28 KB)
PDFNTJD4001NT2G 데이터 시트 표지
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NTJD4001NT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds33pF @ 5V
전력-최대272mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTC90AM60T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

540nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 100V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

IRF40H233XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 34mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8200pF @ 10V

전력-최대

415W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

SI5975DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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