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NTK3043NAT5G

NTK3043NAT5G

참조 용

부품 번호 NTK3043NAT5G
PNEDA 부품 번호 NTK3043NAT5G
설명 MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723
제조업체 ON Semiconductor
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NTK3043NAT5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTK3043NAT5G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTK3043NAT5G, NTK3043NAT5G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 128 KB)
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NTK3043NAT5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)210mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.65V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds11pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)310mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-723
패키지 / 케이스SOT-723

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드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1018pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STW20N65M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1345pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

130W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

SI1013CX-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

450mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

760mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-89-3

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

IPC60R099CPX1SA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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