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NTLJD3183CZTAG

NTLJD3183CZTAG

참조 용

부품 번호 NTLJD3183CZTAG
PNEDA 부품 번호 NTLJD3183CZTAG
설명 MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
제조업체 ON Semiconductor
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NTLJD3183CZTAG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTLJD3183CZTAG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTLJD3183CZTAG, NTLJD3183CZTAG 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 170.82 KB)
PDFNTLJD3183CZTBG 데이터 시트 표지
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  • NTLJD3183CZTAG Distributor

NTLJD3183CZTAG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.6A, 2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs68mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds355pF @ 10V
전력-최대710mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-WDFN (2x2)

관심을 가질만한 제품

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 25V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-PQFN (2x2)

FDG6322C_D87Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA, 410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

APTC80A15SCTG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4507pF @ 25V

전력-최대

277W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

IRF7756

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SI6973DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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